免费论文摘要：硫化铅地膜制备及晶硅防曲射织构接洽

硫化铅(PbS)是一种要害的Ⅳ～Ⅵ族半半导体资料，其带隙与太阳光谱配合，可动作制备太阳干电池理念资料之一。晶硅微纳米防曲射织构对于巩固太阳干电池对光的接收，进而普及太阳干电池功效有较大的扶助。本舆论接洽了PbS地膜及晶硅微纳米防曲射织构的制备及其个性，接洽实质分为如次三局部：第一部接洽了硫化铅（PbS）地膜的制备及其个性。运用化学浴堆积法(CBD)制备了PbS地膜，接洽了退火功夫对PbS地膜的结晶度、外表形貌以及光学本质的感化。论断如次：（1）PbS地膜在玻璃基底上粘附力较强，结晶度杰出，呈面心立方构造且沿（111）目标选择优秀者成长。各别的退火功夫引导PbS地膜的构造、形貌、光学个性均爆发鲜明分别。退火30 min的PbS地膜的结晶度最佳。（2）从未退火到退火30min，PbS的平衡晶粒尺寸由28.5nm减小至24.8nm；跟着退火功夫连接减少至120min，晶粒尺寸减少至30.4nm。（3）从未退火到退火功夫为30min，PbS纳米晶地膜的光学带隙跟着退火功夫的延长由0.76eV减少至1.05eV；进一步延迟退火功夫，带隙减小至0.73eV。第二局部接洽了晶体硅的单次刻蚀制备外表防曲射织构。运用非金属扶助化学刻蚀本领（MACE），经过对银光塑料薄膜退火温度的遏制获得各别形貌的银纳米颗粒，进而进一步遏制银扶助刻蚀所得的硅微纳米织构形貌。论断如次：在退火温度低于600℃时，银颗粒的尺寸会跟着退火温度的减少而减少，之后，跟着退火温度减少至800℃，银颗粒的尺寸又会减小。硅防曲射织构的平衡曲射率开始由17.1%降至4.7%，接下来又减少至11.9%。当银光塑料薄膜的退火温度到达600℃时，防曲射织构的曲射率到达最低（4.7%）。第三局部接洽了晶体硅的二次刻蚀制备外表复合分层防曲射织构。二次MACE刻蚀中，对初次刻蚀的功夫以及初次刻蚀之后剩余银粒子退火温度的调节和控制获得的复合双层微纳米孔洞构造的形貌。获得论断：初次刻蚀功夫遏制在30秒钟，银粒子退火温度为600℃时不妨制备出防曲射功效最好的晶硅微纳米复合织构。

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