免费论文摘要：单畴GdBCO超导块材本能的接洽及非单畴超导块材接收的探究

REBCO超半导体是最具备适用化后劲的高温超导资料，在超导磁浮、超导磁体、储能飞轮等高新技术本领上面有着普遍的运用远景。单畴GdBCO超导块材是REBCO系列超半导体中本能最优的资料之一，所以是该范围接洽的中心和热门。正文在新固相源顶部籽晶熔渗成长法（新TSIG法）的普通上，接洽了高品质GdBCO超导块材的制备本领，并对非单畴多晶GdBCO超导块材的再成长本领举行了商量。制备GdBCO超导块材所用的初始粉体囊括BaCuO2（011）、CuO、Gd2O3和Y2O3粉。个中，单相的011粉是经过固态烧结法治备的。接洽了顶部籽晶熔渗成长法中固相坯体的初始密度对GdBCO块材的直观形貌、磁浮力以及捕捉磁通的感化。试验截止表白：跟着固相坯体密度的增大，样本外表均表露出杰出的单畴形貌；样本的磁浮力跟着固相坯体密度的增大表露增大的趋向，在固相坯体密度从3.5386g/cm3增大到4.2844g/cm3的进程中，磁浮力基础成曲线延长，跟着密度的进一步增大，样本磁浮力的延长速率渐渐减慢、并趋于饱和；一切样本的捕捉磁通密度散布都惟有一个对称的单峰，表白那些样本均具备杰出的磁单畴性，样本捕捉磁通密度的最大值随固相初始密度的变革趋向与磁浮力的变革顺序普遍。所以，符合的增大初始固相坯体的密度不妨普及样本磁浮力和捕捉磁通密度。经过在新固相源中增添Ni2O3的本领，沿用顶部籽晶熔渗成长工艺制备出了组分为（1-x）（Gd2O3+1.2BaCuO2）+x Ni2O3、直径为20 mm的单畴GdBCO超导块材（个中x = 0、0.02、0.06、0.10、0.14、0.18、0.30、0.50 wt%），并接洽了Ni2O3的掺杂量x对样本的外表成长形貌、微观构造、临界温度Tc、磁浮力以及捕捉磁通密度的感化。接洽截止表白，当Ni2O3的掺杂量x在0～0.50 wt%的范畴内时，均可制备出单畴性杰出的样本，且Ni2O3的掺杂对样本中Gd211粒子的散布和粒径没有鲜明的感化；在Ni2O3的掺杂量x从0减少到0.50 wt%的进程中，样本的临界温度Tc表露低沉的趋向，从x = 0时的92.5 K低沉到x = 0.50 wt%时的86.5 K，这是因为Ni3+代替GdBCO晶体中Cu2+所致；样本磁浮力和捕捉磁通密度均表露先增大后减小的变革顺序，x = 0.14 wt%时，磁浮力到达最大值34.2 N（77 K, 0.5 T），x = 0.10 wt%时，捕捉磁通密度到达最大值0.354 T（77K , 0.5 T）。样本磁浮力和捕捉磁通密度的变革顺序与Ni2O3的掺杂量x有出色联系，惟有当掺杂量x合当令，Ni3+对Cu2+的代替既不会形成Tc的鲜明低沉，但又能爆发过量的Ni3+/Cu2+晶格畸变，进而到达普及样本磁通钉扎本领和超导本能的功效。对非单畴GdBCO超导块材的再成长本领举行了探究和接洽。将非单畴超导块材加热到高于其包晶反馈温度之上的高温并保鲜一段功夫，使GdBCO超导块材融化后，赶快降至室温；而后，以新赢得样本为固相，再沿用顶部籽晶熔渗成长本领从新成长单畴GdBCO超导块材，发端的试验截止表白这种本领的可行性，但仍需进一步深刻接洽。

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