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本论文华用胶体化学法治备出了表露{111}晶面和{110}晶面包车型的士InP纳米线,沿用高温溶液加热法,在900℃下加热氯化镓溶液合成β-Ga2O3纳米片自组建产生的花状构造。沿用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和红外光谱仪对产品的形貌和微构造举行了表征,接洽了所制备表露{111}晶面和{110}晶面包车型的士InP纳米线的成长进程,提出了相映的产生机理。对表露各别晶面包车型的士InP纳米线和β- Ga2O3花状构造举行光致发亮和光催化本质的商量。所制备的InP纳米线和β- Ga2O3花状构造在场效力晶体管,太阳能干电池,荧光探针等光元器件和底栖生物标志上面具备普遍的潜伏运用价格。(1) 表露{111}晶面包车型的士InP纳米线的合成和产生机理在氩气氛围中,经过InCl3、P4和Na在三辛基氧膦(TOPO)和三辛基膦(TOP)溶剂中的反馈,制备出了表露{111}晶面包车型的士立方相InP纳米线。商量溶剂对产品形貌和微构造的感化,接洽截止表白三辛基氧膦采用性吸附在InP晶体的(111)面上,控制(111)晶面成长进而获得表露{111}晶面包车型的士InP纳米线。经过对各别反馈功夫的产品举行表征,提出产生机理。(2) 表露{110}晶面包车型的士InP纳米线的合成和产生机理在氩气氛围中,经过InCl3、P4和Na在350℃的油胺(OA)和三辛基膦(TOP)溶剂中的反馈,合成出表露{110}晶面包车型的士立方相InP纳米线。商量溶剂对产品形貌和微构造的感化,接洽截止表白油胺采用性吸附在InP晶体的(110)面上,控制(110)晶面成长进而获得表露{110}晶面包车型的士InP纳米线。经过对各别反馈功夫的产品举行表征,提出产生机理。 (3) 表露{111}晶面和{110}晶面包车型的士InP纳米线的光致发亮本质和光催化本质接洽 对表露{111}晶面和{110}晶面包车型的士InP纳米线举行光致发亮本质和光催化本质的商量。以贸易InP粉末做参照物,经过降解甲基橙来商量两种InP纳米线的光催化本质。试验截止表白表露{111}晶面包车型的士InP纳米线光催化本质最佳,InP纳米构造中表露的{111}晶面是具备高反馈活性的晶面。运用周期密度泛函表面接洽{111}晶面包车型的士构造和亚原子电荷散布,提出InP极性{111}晶面间的电荷辨别形式,用以证明表露{111}晶面InP纳米构造巩固的光催化本质机理。在光致发亮光谱中,表露{111}晶面和{110}晶面包车型的士InP纳米线均在585 nm处表露了一个强的放射峰,表露{111}晶面包车型的士InP纳米线光致发亮强度高。(4) β- Ga2O3花状构造的合成及光致发亮本质和光催化本质接洽在气氛氛围900℃下加热GaCl3溶液,初次在Si衬底上成长出β-Ga2O3纳米片自组建产生的花状构造。对β-Ga2O3花状构造举行光致发亮本质和光催化本质的商量。室温下对所得β-Ga2O3花状构造的光致发亮本能举行了尝试,发此刻773 nm处有一个强的红光发亮。经过降解孔雀石绿来接洽β-Ga2O3花状构造的光催化本质。试验截止表白β-Ga2O3花状构造是一种灵验的光催化剂。
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