免费论文摘要：普及紫外LED本能的资料本领接洽

宽禁带III-V族氮化学物理(InN、GaN、AlN以及由它们构成的合金固熔体)是径直带隙资料，其掩盖从红外到紫外间的光谱范畴。个中，AlxGa1-xN三元合金的禁带宽窄从3.4eV（GaN）到6.2eV（AlN）可经过Al组分来安排。所以，AlxGa1-xN资料在深紫外运用中具备普遍的远景，囊括紫外探测器和紫外发亮二极管等。然而，因为缺乏晶格配合且热配合的符合衬底，加上各别的Al和Ga的化学本质等难点，暂时制备高品质高Al组分AlxGa1-xN资料仍旧生存很大的挑拨。本舆论重要经过优化成长工艺来普及AlxGa1-xN资料的品质。重要实质如次： 1. 运用AlN多层构造赢得n型高导热本能Al0.7Ga0.3N：运用AlN多周期变V/III比构造，周期性变幻成长形式，赢得了高品质和高导热本能的Al0.7Ga0.3N外延膜。其(0002)和(10-15)的XRD动摇弧线半高宽辨别降到了519和625arcsec。室温hall尝试给出了自在电子浓淡为2.9×1019 cm-3，迁徙率为17.8 cm2V-1s-1。截面TEM衍衬像表露AlN多周期变V/III比构造不妨特殊灵验的贬低位错密度，贬低了Al0.7Ga0.3N外延层中的非辐射复合重心密度。 2. 沿用高温GaN插层来AlGaN晶体品质的普及：低V/III比成长不妨供给低螺位错密度的AlN基板，而高温GaN插层又重要起到了过滤刃位错的效率，以是后续成长的Al0.5Ga0.5N外延层的位错密度获得了灵验的贬低。Al0.5Ga0.5N外延膜的(0002)和(10-15)双轴晶x射线衍射动摇弧线半高宽辨别降到了270和567 arcsec。其余，室温负极射线荧光谱中较强的带边峰进一步证领会这种贯串不妨灵验地普及Al0.5Ga0.5N地膜的光学个性。3. 在图形衬底上成长GaN来普及其晶体品质：因为衬底图形的好多效力，在图形衬底上成长的GaN晶体具备小的位错密度和应力。GaN外延层的(0002)和(12-31)高辨别X射线衍射动摇弧线半高宽辨别降至212和222 arcsec。其余，Raman散射图谱则证明沿用图形衬底能灵验贬低GaN外延层中的应力。

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