免费论文摘要：外表涂覆CBS的多孔氮化硅高温高频介电本能接洽

跟着新颖搏斗的兴盛和将来搏斗的须要，导弹的运用频次范畴越来越宽，所以必需要求透波资料在宽频范畴内具备崇高的介电本能。因为导弹的遨游速率已到达高贵音速，在气动加热、加载情况下，地线罩的运用温度高，升压速率快，所以对介电本能的温度宁静性诉求庄重。所以必需对资料在确定频次范畴内的高温介电本能举行精细接洽。多孔氮化硅陶瓷具备密度低、耐高温、介电常数小等便宜，可动作高温宽频透波地线罩候选资料之一。然而其多孔构造吸潮惹起介电本能低沉，透波率贬低，而且抗弯强度减小。沿用在多孔氮化硅陶瓷外表制备精致涂层，不妨举行灵验封孔防潮，宁静介电本能，同声普及力学本能，对多孔氮化硅在地线罩的安排及运用上面具备极端要害的意旨。本接洽沿用CaO-B2O3-SiO2复合氧化学物理体制和α-Si3N4为重要资料，在多孔氮化硅外表制备了CBS微晶玻璃涂层和CBS-Si3N4复合涂层，接洽了涂覆CBS涂层和CBS-Si3N4复合涂层对多孔氮化硅高温高频介电本能的频次个性和温度个性的感化，以及涂层对多孔氮化硅力学本能的感化。比拟各别制备本领及工艺制备的CBS微晶玻璃涂层及CBS-Si3N4复合涂层的物理本能，决定沿用浸渍提拉法，屡次反复提拉可获得外表润滑精致的涂层。在7.3~18.4 GHz的尝试频次范畴内，多孔氮化硅涂覆CBS涂层后，介电常数略有增大，介电常数变革率η增大，介电常数的频次宁静性别变化差；介电耗费频次宁静性获得了革新。从室温到1200 ℃的丈量温度范畴内，多孔氮化硅介电常数温度系数小于37.77 ppm/℃；涂覆CBS涂层后，介电常数温度系数略有增大，最大值为76.65 ppm/℃，介电常数温度宁静性稍有低沉，但不感化工程运用。涂覆CBS涂层后，资料在室温下的介电耗费减小了60%之上，利于于透波率的普及。在7.3~18.4 GHz尝试频次范畴内，多孔氮化硅涂覆CBS-Si3N4涂层后，介电常数略有增大，介电常数的变革率η与涂覆前邻近，频次宁静性比CBS涂层好；介电耗费频次宁静性获得了革新。从室温到1200 ℃的丈量温度范畴内，涂覆CBS-Si3N4涂层后，多孔氮化硅介电常数温度系数最大值为55.16 ppm/℃，略小于涂覆CBS涂层的多孔氮化硅的介电常数温度系数，与涂覆CBS涂层比拟，多孔氮化硅的介电常数温度宁静性更好；室温下介电耗费鲜明减小，变革率大于80%。涂覆CBS-Si3N4涂层后，资料的介电本能获得进一步革新。涂覆涂层前后多孔氮化硅的介电耗费频次个性均适合Jonscher的极化驰豫普适联系。其余，接洽中发此刻X波段频次范畴内，涂覆CBS涂层和CBS-Si3N4复合涂层后多孔氮化硅的介电耗费对数值与温度的倒数在低温区和高温区可辨别拟合为斜率各别的曲线。涂层各别，拟合曲线的斜率和截距变革较大。涂覆CBS涂层后多孔氮化硅的抗弯强度最大增大了近1.4倍；涂覆CBS-Si3N4复合涂层后孔氮化硅的抗弯强度最大增大了近1.2倍。

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