免费论文摘要：纳米硅地膜太阳能干电池的研制及其光学本能接洽

正文引见了光伏财产的爆发后台，兴盛过程，太阳能干电池的道理、分门别类和暂时太阳能干电池兴盛的两个要害接洽目标，并对纳米硅地膜制备本领和纳米硅地膜太阳能干电池的接洽举行了精细指摘。从半半导体对光的接收动身，以光谱相应为普通，开始从表面上推导出太阳能干电池在普照前提下的交流电密度表白式，贯串半半导体PN结普通，计划出普照前提下PN结的交流电-电压联系式，进而获得了太阳干电池的本能表征参数。并从表面上领会了纳米硅地膜叠层太阳干电池的构造。运用PECVD（等离子体体增加强学气相堆积）法治备了本征收交纳米硅膜，并经过掺入磷烷（PH3）制备了N型掺磷纳米硅地膜。接洽了堆积N层时的堆积温度、PH3的掺杂量、N层厚薄等工艺前提对干电池归纳本能的感化，经过比拟和优化各个堆积前提，获得：在340℃下，PH3：SiH4≈1.4×10-1，N层厚薄约为70nm时，制备出的干电池开路电压（Voc）为555.2mV，短路交流电（Isc）为25.12mA/cm2，光电变换功效为6.6%（在国度级光伏干电池本能尝试重心即华夏农科院太阳能光伏火力发电体例品质检验和测定重心尝试的截止）。对制备出的构造为grid /ITO/n-nc-Si / i-a-Si / p-c-Si/ Al的太阳能干电池各膜层举行光学本能的尝试。截止表白，在紫外波段（

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