免费论文摘要：电子聚焦磁场巩固等离子体体离子注入功效及物理进程接洽

等离子体体淹没离子注入本领(Plasma Immersion Ion Implantation, PIII )已被普遍运用于非金属、塑料及陶瓷等资料的外表改性，以革新磨损、侵蚀、劳累和冲突本能等。在典范的PIII安装里，待注入样本被安置在等离子体体中，经过对靶台强加负高压脉冲举行离子注入。PIII唾弃了保守离子注入必定的加快器，且不妨实行对样本的全方位注入，故本钱低、功效高。但是，该本领仍旧须要外设等离子体体源如发射电波频率等离子体体源、微波等离子体体源等供给等离子体体，则注入进程中会有辐射爆发，对操纵职员及摆设形成倒霉感化。动作不妨代替PIII实行全方位注入堆积的新本领，电子聚焦磁场巩固等离子体体淹没离子注入(Enhanced Glow Discharge-Plasma Immersion Ion Implantation, EGD-PIII )本领不复须要外部等离子体体源。在该本领中，等离子体体由自辉光尖端放电爆发，点状空腹阳极保卫世界和平大会平面负极靶台产生电子聚焦磁场。经过这种特出的磁场安排，等离子体体中的电子和二次电子均聚焦到空腹阳极处。该电子聚焦磁场使自辉光尖端放电进程获得巩固，从而实行高效安定的离子注入。正文开始运用多重质点网格法（Multiple Grid-Particle In Cell, MG-PIC）接洽了EGD-PIII注入平面样本时注入离子能量的散布情景，以及矫正后体例处置平面样本的注入功效，截止表白电子聚焦局面特殊鲜明，绝大普遍离子能赢得较高能量注入样本外表，且矫正后的体例利于于普及注入功效。其次，经过比拟领会沿用铝靶和不锈钢靶时绝缘罩内的等离子体体密度及样本外表注入剂量，创造运用铝靶时辉光尖端放电更激烈，且样本外表注入剂量更高。所以表明由高能量离子轰击样本外表引导的二次电子放射利于于巩固自辉光尖端放电，普及注入功效。结果，运用MG-PIC本领及TRIM步调模仿了EGD-PIII处置圆柱体样本的注入进程，并经过XPS（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）对注入后样本举行了检验和测定，模仿截止与检验和测定截止相符合，表白圆柱体样本不会对自辉光尖端放电爆发倒霉感化，EGD-PIII本领不妨运用于圆柱体样本的外表改性。经过上头的接洽处事，正文证领会EGD-PIII本领不妨运用于平面及圆柱体样本的外表改性，且注入功效杰出；截止也表白EGD-PIII本领且较PIII本领本钱更低，安定系数更高，功效也更高。

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